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Si6969BDQ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
0.10
0.08
2500
2000
0.06
0.04
V GS = 1.8 V
V GS = 2.5 V
1500
1000
C iss
C oss
0.02
0.00
V GS = 4.5 V
500
0
C rss
0
6
12
18
24
30
0
2
4
6
8
10
12
5
4
3
2
1
0
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
V DS = 6 V
I D = 4.6 A
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
V GS = 4.5 V
I D = 4.6 A
0
4
8
12
16
20
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
30
10
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J = 150 °C
0.10
0.08
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
T J = 25 °C
0.06
0.04
0.02
I D = 4.6 A
1
0.00
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
Document Number: 72017
S-81221-Rev. C, 02-Jun-08
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
www.vishay.com
3
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